飞兆半导体;mosfet; igbt;不间断电源

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我国首条8英寸IGBT芯片生产线有望年底投产

　　“今年，我们国内基地在IGBT器件销售上突破6万只的规模，在新能源装备、直流输电等市场份额上也将继续扩大。有我公司建设的我国首条8英寸IGBT芯...

IGBT 芯片 2013-12-18

飞兆半导体：“不停产”产品和终身供应政策

　　响应客户反馈，升级供应政策　　由客户反馈推动的增强的支持政策，全球领先的高性能电源和移动产品提供商飞兆半导体(纽约证券交易所代码：FCS)，自豪地宣布业...

飞兆半导体电源 2013-11-29

大功率IGBT模块PCB抄板及芯片解密研究

　　据悉，我国大功率IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块产品实现国产化啦!这不仅打破了我国在高端IGBT模块长期依赖进口的局面，而且还是国内第一个反向创新基础上真...

IGBT PCB 2013-09-25

继2012年表现黯淡之后，中国功率MOSFET市场将恢复生机

　　在绿色能源和节能计划的带动下，加之出口回升，预计今年中国市场的功率MOSFET出货量继2011年大幅下滑之后反弹。这暗示中国以及其它主要全球经济体的形势好转...

消费电子 MOSFET 2013-04-18

高压MOS缺货晶片商抢推高整合LED驱动器

　　半导体业者竞相开发高整合度发光二极体(LED)照明驱动IC方案。在高压金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)产能吃紧之下，LED照明系统商正面临出货递延...

恩智浦 LED MOSFET 2012-12-04

英飞凌与富士就HybridPACK 2功率模块达成协议

　　富士电子有限公司和芯片厂商英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)携手为混合动力汽车(HEV)提供功率模块。这两家公司于近日在P...

英飞凌富士电子 IGBT HybridPACK 2012-05-30

Vishay荣获2012中国年度电子成就奖

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAI...

Vishay MOSFET 转换器 2012-04-27

飞兆与英飞凌就创新型汽车无铅封装技术达成协议

　　飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飞凌的H-PSO...

飞兆英飞凌 MOSFET 2012-04-16

飞兆与英飞凌签署汽车级封装工艺许可协议

　　英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)与飞兆半导体公司(NYSE: FCS)近日宣布签署英飞凌先进汽车级MOSFET封装工艺H...

英飞凌飞兆 MOSFET 2012-04-06

飞兆半导体高效大功率降压转换器助设计人员降低功耗

　　新产品用于GSM/GPRS/EDGE、3G/3.5G和4G功率放大器，提供小外形尺寸和更好的散热性能　　便携产品设计人员面对不断变化的标准、增加电池寿命...

飞兆半导体降压转换器 2012-03-31

飞兆和英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议

　　全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologie...

飞兆半导体英飞凌科技 MOSFET 2012-02-09

飞兆与英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议

　　飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司进一步扩展封装兼容...

飞兆 MOSFET 2012-02-09

Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率

　　Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转...

Diodes MOSFET 控制器 2012-01-11

Diodes封装MOSFET有助于实现低温操作

　　Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装MOSFET。该器件的结点至环境热阻(Rthj-a)为130ºC/W，能在持续状态下支持高达...

Diodes MOSFET 2012-01-04

飞兆半导体深度挖掘电器设备待机节能潜力

　　“节能”的宣传口号随处可见，但是真正的节能行动不仅需要我们少开车，少用一次性筷子，还需要我们从细微处发现巨大的节能潜力。也许我们会尽...

飞兆半导体 mWSaver FAN6756 2011-11-14

飞兆半导体在线设计和模拟工具提供完整反激式设计

　　当前，设计人员正面临为各种应用产品的电源设计反激电路的挑战，现在找到能够简化工作的方法。全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchi...

飞兆半导体 PSW 2011-11-07

LNK406EG 14W可调光、高效率LED驱动设计

　　LinkSwitch-PH IC可以设计出具有成本效益且元件数量极少的LED驱动器，不仅能满足功率因素和谐波限值，同时还能为最终用户带来不同凡响的使用体验。...

MOSFET LED驱动 2011-09-16

NXP推出超紧凑型中等功率MOSFET

恩智浦半导体NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5...

Trench MOSFET 2011-09-16

IR推出新系列40V至200V车用MOSFET

　　全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出车用 MOSFET 系列，可为一系列应...

IR MOSFET 2011-09-14

英飞凌推单P沟道40V汽车电源MOSFET

　　英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排...

英飞凌汽车电源 MOSFET 2011-09-14

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